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国家知识产权局信息数据显现,天津中科晶禾电子科技有限责任公司请求一项名为“一种低电阻率薄膜及其制备办法与超原子束辅佐镀膜设备”的专利,公开号CN121250301A,请求日期为2025年10月。
专利摘要显现,本发明供给了一种低电阻率薄膜及其制备办法与超原子束辅佐镀膜设备,所述的制备办法有:供给基底;经过离子束溅射靶材在基底外表堆积构成薄膜的过程中随同使用超原子束炮击所述基底的堆积面,直至薄膜堆积完毕。本发明在堆积过程中随同使用超原子束炮击所述基底的薄膜堆积面,超原子束可以添加基底堆积面上原子的能量,使原子易于向具有低能外表的晶粒发生外表分散,然后可以构成晶粒取向挨近共同的低电阻率薄膜,过程中可避开对膜层形成损害,还提高了膜的细密性。
天眼查资料显现,天津中科晶禾电子科技有限责任公司,成立于2020年,坐落天津市,是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册资本552.8571万人民币。经过天眼查大数据分析,天津中科晶禾电子科技有限责任公司参加招投标项目60次,产业线条,此外企业还具有行政许可7个。
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